知識(shí)常識(shí)

IC半導(dǎo)體行業(yè)等離子表面處理機(jī)

IC半導(dǎo)體行業(yè)等離子表面處理機(jī)_等離子清洗機(jī)

COB/COF/COG等離子表面處理

COB等離子表面處理

隨著智能手機(jī)的飛速發(fā)展，人們對(duì)手機(jī)攝像頭像素的要求越來(lái)越高，如今用傳統(tǒng)的CSP封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組像素已達(dá)不到人們的需求，

而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組已被大量的運(yùn)用到了現(xiàn)在的千萬(wàn)像素的手機(jī)中，但其制造的良率因其工藝特性往往只有85%左右，

而造成的手機(jī)良率不高的原因主要在于離心清洗機(jī)和超聲波清洗做不到高潔凈度的清洗holder及Pad表面污染物，致使holder與IR粘接力不高及bonding不良的問(wèn)題，

經(jīng)等離子體處理后能超潔凈的去除holder上的有機(jī)污染物和活化基材，使其與IR粘接力能提高2~3倍，也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面，極大的提升了banding的一次成功率。

硅片（Wafer）等離子表面處理

在IC芯片制造領(lǐng)域中，等離子體處理技術(shù)已是一種不可替代的成熟工藝，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是我們的低溫等離子體表面處理設(shè)備所能達(dá)到的：在晶元表面去除氧化膜、有機(jī)物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤(rùn)性。

硅片等離子清洗機(jī)

優(yōu)化引線(xiàn)鍵合（打線(xiàn)）等離子表面處理

集成電路引線(xiàn)鍵合的質(zhì)量對(duì)微電子器件的可靠性有決定性影響，鍵合區(qū)必須無(wú)污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在，如氧化物、有機(jī)殘?jiān)榷紩?huì)嚴(yán)重削弱引線(xiàn)鍵合的拉力值。

傳統(tǒng)的濕法清洗對(duì)鍵合區(qū)的污染物去除不徹底或者不能去除，而采用等離子體清洗能有效去除鍵合區(qū)的表面沾污并使其表面活化，能明顯提高引線(xiàn)的鍵合拉力，極大的提高封裝器件的可靠性。

引線(xiàn)鍵合前等離子表面處理

芯片粘接前等離子表面處理

芯片與封裝基板的粘接，往往是兩種不同性質(zhì)的材料，材料表面通常呈現(xiàn)為疏水性和惰性特征，其表面粘接性能較差，粘接過(guò)程中界面容易產(chǎn)生空隙，給密封封裝后的芯片帶來(lái)很大的隱患，

對(duì)芯片與封裝基板的表面進(jìn)行等離子體處理能有效增加其表面活性，極大的改善粘接環(huán)氧樹(shù)脂在其表面的流動(dòng)性，提高芯片和封裝基板的粘結(jié)浸潤(rùn)性，減少芯片與基板的分層，改善熱傳導(dǎo)能力，提高IC封裝的可靠性、穩(wěn)定性，增加產(chǎn)品的壽命。

在倒裝芯片封裝方面，對(duì)芯片以及封裝載板進(jìn)行等離子體處理，不但能得到超凈化的焊接表面，同時(shí)還能大大提高焊接表面的活性，可以有效的防止虛焊，減少空洞，提高焊接的可靠性，同時(shí)可以提高填充料的邊緣高度和包容性，改善封裝的機(jī)械強(qiáng)度，降低因不同材料的熱膨脹系數(shù)而在界面間形成內(nèi)應(yīng)的剪切力，提高產(chǎn)品可靠性和壽命。

芯片粘接前等離子表面處理

引線(xiàn)框架的等離子表面處理

微電子封裝領(lǐng)域采用引線(xiàn)框架的塑封形式，仍占到80%以上，其主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線(xiàn)框架，銅的氧化物與其它一些有機(jī)污染物會(huì)造成密封模塑與銅引線(xiàn)框架的分層，

造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象，同時(shí)也會(huì)影響芯片的粘接和引線(xiàn)鍵合質(zhì)量，確保引線(xiàn)框架的超潔凈是保證封裝可靠性與良率的關(guān)鍵，經(jīng)等離子體處理可達(dá)到引線(xiàn)框架表面超凈化和活化的效果，成品良率比傳統(tǒng)的濕法清洗會(huì)極大的提高